两种常见的降低常压香蕉视频污片机DBD放电电场的方法
文章导读：在之前的文章中有向大家介绍DBD常压香蕉视频污片机的相关知识，通过选择具有高能亚稳态粒子的气体确实能够降低常压香蕉视频污片机DBD放电电场，今天就为大家介绍另外两种常见的降低DBD放电电场的方法，希望对大家有所帮助：
通过均匀电场的汤生放电自持条件，可以得出γ是阴极的二次电子发射系数。若增大γ，则α可以减小，即满足上式要求的电场E可以降低。对于DBD，阴极通常被绝缘介质覆盖，γ应该推广到气隙中所有途径产生的“种子”电子，即放电开始前气隙中的电子。因此，降低常压香蕉视频污片机DBD放电电场的方法就是增加种子电子。通过选择具有高能亚稳态粒子的气体能够有效降低常压香蕉视频污片机DBD放电电场，那么其实还有另外两种常见的降低DBD放电电场的方法：
一、选择γ系数大的阻挡介质
一般情况下，γ系数是指金属阴极的二次电子发射系数。但是对于DBD而言，金属电极通常被绝缘介质覆盖，正离子和光子难以直接轰击阴极而产生二次电子发射。理论研究和实验研究表明，由于正离子和光子的轰击，覆盖阴极的阻挡介质也可能发射二次电子，只不过这些电子不是来自绝缘介质本身的束缚电子，而是来自阻挡介质表面浅位阱（<1eV)内的入陷电子。这些入陷电子是在上一个电流脉冲期间从气隙进入介质表面浅位阱的。若阻挡介质表面浅位阱较多，则等效的γ系数也较大。
一般情况下，γ系数是指金属阴极的二次电子发射系数。但是对于DBD而言，金属电极通常被绝缘介质覆盖，正离子和光子难以直接轰击阴极而产生二次电子发射。理论研究和实验研究表明，由于正离子和光子的轰击，覆盖阴极的阻挡介质也可能发射二次电子，只不过这些电子不是来自绝缘介质本身的束缚电子，而是来自阻挡介质表面浅位阱（<1eV)内的入陷电子。这些入陷电子是在上一个电流脉冲期间从气隙进入介质表面浅位阱的。若阻挡介质表面浅位阱较多，则等效的γ系数也较大。
二、平行气流直达气隙
DBD研究发现：向放电气隙吹气可以明显地改善放电的均匀程度。但并不是很多人都认识到，吹气管道不应该仅仅接到放电室为止，而必须进入到放电室内直接抵达放电气隙，这样才能提高气隙中的流速，增大对放电均匀度的影响。
DBD研究发现：向放电气隙吹气可以明显地改善放电的均匀程度。但并不是很多人都认识到，吹气管道不应该仅仅接到放电室为止，而必须进入到放电室内直接抵达放电气隙，这样才能提高气隙中的流速，增大对放电均匀度的影响。
除此以外，使用高能射线（如紫外射线）照射气隙也可以增加种子电子。另外，冷却阻挡介质可能有利于避免介质表面浅位阱内的入陷电子过早逃逸，这些对获得大气压下均匀放电均有帮助。
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